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更新时间:2020-09-04 09:26:00
NTHS2101PT1G库存信息
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NTHS2101PT1G中文资料

功能描述:MOSFET -8V -7.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTHS2101PT1G PDF资料

型号: NTHS2101PT1G 前往资料站下载: 下载
原厂全称: ON Semiconductor 原厂简称: ONSEMI
页数: 6 文件大小: 53 /kb
说明: −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET

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